У нас всегда доступен широчайший выбор различных модулей памяти для нотбуков (от 512 Мб до 16 ГБ).
Характеристики Hynix hmt112s6tfr8c-h9:
Ёмкость: 1 ГБайтОрганизация - 8-чиповая, 128M*64
Компоненты - 128M*8 (H5TQ1G83TFR)*8
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SO-DIMM, 204-контактный (для ноутбуков)
Тактовая частота (ширина шина) - 1333 МГц
Пропускная способность - PC3-10600, PC3-8500 или PC3-6400
Тайминги - CAS Latency (CL) - 9-9-9.
Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM
Напряжение VDD: 1,5+/-0,075 Вольт
Напряжение VDDQ: 1,5+/-0,075 Вольт
Напряжение VDDSPD: от 3.0 до 3.6 Вольт
Соответствие стандарту RoHS.
Поддержка On Die Termination (ODT).
ГАРАНТИЯ: полная официальная гарантия от производителя - 5 лет.